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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利一种超结功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210292800.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种超结功率器件及其制造方法是由杨寿国;李强;高宏伟;左义忠设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超结功率器件及其制造方法，超结功率器件包括第一导电类型的衬底和外延层，外延层内设置有第二导电类型的至少两个第一掺杂柱、至少两个第二掺杂柱、以及至少两个第三掺杂柱，各第一掺杂柱分别沿第一方向延伸且彼此间隔，各第三掺杂柱分别沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且彼此间隔，以及各第二掺杂柱位于所述第一掺杂柱与第三掺杂柱之间且往远离衬底的方向延伸。各第二掺杂柱的长度沿第一掺杂柱往第二掺杂柱的方向依次减小，各第三掺杂柱的长度沿远离衬底的方向依次增大。本实施例可以提高超结功率器件的终端效率。

本发明授权一种超结功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结功率器件，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底之上的外延层；其中： 所述外延层内设置有至少两个第一掺杂柱、至少两个第二掺杂柱、以及至少两个第三掺杂柱，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，所述第一掺杂柱、所述第二掺杂柱以及所述第三掺杂柱具有第二导电类型； 各所述第一掺杂柱分别沿第一方向延伸且彼此间隔，各所述第三掺杂柱分别沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且彼此间隔，以及各所述第二掺杂柱位于所述第一掺杂柱与所述第三掺杂柱之间且往远离所述衬底的方向延伸； 各所述第二掺杂柱的长度沿所述第一掺杂柱往所述第二掺杂柱的方向依次减小； 各所述第三掺杂柱的长度沿远离所述衬底的方向依次增大； 其中，所述外延层远离所述衬底的一侧设置有主结区和截止区，所述主结区下方具有与该主结区接触的第二掺杂柱，各所述第二掺杂柱远离所述衬底的一端的连线与所述衬底之间形成一倾角，所述倾角的角度大于或等于42度，且小于或等于45度，所述第二掺杂柱的延伸方向与所述衬底形成小于90度的倾角，使所述第二掺杂柱往所述主结区的倾斜，所述第二掺杂柱为多个掺杂单元依次相连形成的柱状结构或依次层叠的多个圆形岛掺杂单元而构成的柱状结构。

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