华灿光电(浙江)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210099672.7，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法是由蒋媛媛;刘旺平设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。在掺硼硅衬底的表面先生长第一AlN层，可以起到阻挡掺硼硅衬底的杂质的延伸。在生长完第一AlN层之后，向反应腔通入氯气对第一AlN层进行腐蚀，氯气可以腐蚀第一AlN层的表面以去除延伸至第一AlN层表面的部分缺陷，也可以使第一AlN层内部积累的应力可以被释放一部分。在通入氯气之后，对反应腔进行换气处理，生长第二AlN层，底层缺陷的减少以及晶体质量的提高，可以降低得到的HEMT外延片出现漏电的可能性，提高HEMT的可靠性。
本发明授权提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法，其特征在于，所述提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法包括： 提供一掺硼硅衬底； 在所述掺硼硅衬底生长第一AlN层； 向反应腔通入氯气对所述第一AlN层进行腐蚀，以去除延伸至所述第一AlN层表面的部分缺陷，并使所述第一AlN层内部积累的应力被释放一部分，降低会延伸至后续外延材料中的缺陷的数量； 对所述反应腔进行换气处理； 在第一AlN层上生长第二AlN层； 在所述第二AlN层的表面依次生长AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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