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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072377.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体器件是由幸忠男;石田刚志设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，包括：具有主面、且包括器件区域的第一导电型半导体层；在上述器件区域中形成在上述主面的表层部的第二导电型基极区域；在与上述半导体层之间划分出沟道区域的第一导电型源极区域，其从上述基极区域的边缘部向内方隔开间隔地形成在上述基极区域的表层部；形成在所述基极区域的表层部的第二导电型基极接触区域；在与上述基极区域之间划分出漂移区域的第一导电型阱区域，其在上述器件区域中与上述基极区域隔开间隔地形成在上述主面的表层部；形成在上述阱区域的表层部的第一导电型漏极区域；形成在上述阱区域的表层部且与上述漏极区域电连接的第二导电型杂质区域；和栅极构造，其具有在上述主面上覆盖上述沟道区域的栅极绝缘膜和在上述栅极绝缘膜上与上述沟道区域相对且与上述源极区域和上述基极接触区域电连接的栅极电极。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电型的半导体层，其具有主面，且包括器件区域； 第二导电型的基极区域，其在所述器件区域中形成在所述主面的表层部； 第一导电型的源极区域，其从所述基极区域的边缘部向内方隔开间隔地形成在所述基极区域的表层部，在所述源极区域与所述半导体层之间划分出沟道区域； 第二导电型的基极接触区域，其在所述基极区域的表层部中形成在与所述源极区域不同的区域，具有比所述基极区域的杂质浓度大的杂质浓度； 第一导电型的阱区域，其在所述器件区域中与所述基极区域隔开间隔地形成在所述主面的表层部，在所述阱区域与所述基极区域之间划分出漂移区域； 第一导电型的漏极区域，其形成在所述阱区域的表层部； 第二导电型的杂质区域，其形成在所述阱区域的表层部，且与所述漏极区域电连接；和 栅极构造，其具有栅极绝缘膜和栅极电极，所述栅极绝缘膜在所述主面之上覆盖所述沟道区域，所述栅极电极在所述栅极绝缘膜之上与所述沟道区域相对， 所述栅极电极与所述源极区域和所述基极接触区域电连接。

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