爱思开海力士有限公司孙晧荣获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110692578.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装是由孙晧荣;金成圭;李美仙设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装在说明书摘要公布了：本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时与该一对贯通电极连接，其中，该一对贯通电极之间的距离大于绝缘层的厚度的两倍。
本发明授权包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，该半导体芯片包括： 主体部分，所述主体部分具有前表面和后表面； 绝缘层，所述绝缘层设置在所述主体部分的所述后表面上； 一对贯通电极，所述一对贯通电极穿透所述主体部分和所述绝缘层； 后连接电极，所述后连接电极设置在所述绝缘层上并且同时与所述一对贯通电极连接；以及 前连接电极，所述前连接电极设置在所述主体部分的所述前表面上， 其中，所述前连接电极同时与所述一对贯通电极连接， 其中，所述一对贯通电极之间的距离大于所述绝缘层的厚度的两倍。
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