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龙图腾网获悉厦门亿芯源半导体科技有限公司申请的专利一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114531116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111590432.9，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法是由罗志聪;李景虎;陈日清;丁昊凡;洪鑫;于健海设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法在说明书摘要公布了：一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法，属于集成电路下跨阻放大器中的低功耗研发领域，本发明为解决现有高速跨阻放大器采用电流注入技术存在芯片功耗大的问题。本发明方法为：将输出驱动级BUFF的尾电流注入至前置放大器TIA的输入管MN1漏端，来降低或杜绝通过电阻或电流源注入输入管MN1漏端的大电流，以实现低功耗。

本发明授权一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法在权利要求书中公布了：1.一种高速跨阻放大器的低功耗设计方法，其特征在于， 输出驱动级BUFF包括NMOS晶体管MN5、NMOS晶体管MN6、NMOS晶体管MN7、电阻R3、电阻R4和尾电流引出单元，输出驱动级BUFF还包括稳压辅助电路，用于稳定NMOS晶体管MN7漏端X点电压； 所述稳压辅助电路包括运算放大器AMP、低通滤波器LPF、PMOS晶体管MP1～MP4、电阻R5～R8、电容C1、电容C2、电流源I2和电流I3； 信号输入端口VINP和VINN同时连接低通滤波器LPF的输入端、电容C2的一端和电容C1的一端； 低通滤波器LPF的输出端同时连接PMOS晶体管MP4和MP3的栅极、PMOS晶体管MP2和MP1的漏端； PMOS晶体管MP1和MP2的栅极连接运算放大器AMP的输出端；运算放大器AMP的反相端连接基准电压Vref；运算放大器AMP的正相端同时连接NMOS晶体管MN7的漏端、NMOS晶体管MN5和MN6的源端，所连接结节为X点； PMOS晶体管MP3的源端同时连接电阻R8的一端和电流源I3的负端； PMOS晶体管MP4的源端同时连接电阻R7的一端和电流源I2的负端； 电阻R7的另一端同时连接电容C1的另一端和NMOS晶体管MN6的栅极； 电阻R8的另一端同时连接电容C2的另一端和NMOS晶体管MN5的栅极； NMOS晶体管MN5的漏端同时连接电阻R3的一端和信号输出端口OUTN； NMOS晶体管MN6的漏端同时连接电阻R4的一端和信号输出端口OUTP； NMOS晶体管MN7的栅极连接电压偏置端口VB3； NMOS晶体管MN7的源端输出的尾电流通过尾电流引出单元注入至前置放大器TIA的输出管MN1的漏端； 电容C3的另一端、PMOS晶体管MP4和MP3的漏端连接地； 电阻R3、R4、R5和R6的另一端、电流源I2和I3的正端连接电源电压VDD； 该方法为：将输出驱动级BUFF的尾电流注入至前置放大器TIA的输入管MN1漏端，来降低或杜绝通过电阻或电流源注入输入管MN1漏端的大电流，以实现低功耗。

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