无锡中感微电子股份有限公司王钊获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中感微电子股份有限公司申请的专利充电盒及其电路、无线耳机充电系统及通讯方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114513026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011285377.8,技术领域涉及:H02J7/42;该发明授权充电盒及其电路、无线耳机充电系统及通讯方法是由王钊设计研发完成,并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本充电盒及其电路、无线耳机充电系统及通讯方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种充电盒及其电路、无线耳机充电系统及通讯方法。充电盒电路包括:第一电池;第一充电管理单元,对第一电池进行充电管理;升压单元,将第一电池的电压调整为充电电压后输出;第一电容,与升压单元的输出端连接;第一通讯单元,具有用于与无线耳机电路的充电端连接的第一和第二支路;第一应用处理器,接收终端设备发送的数据信息,且能输出控制信号给第一通讯单元,控制信号使第一支路和第二支路中的一者导通且另一者断开,升压单元的输出端通过导通的第一支路将充电电压输出给充电端;第一应用处理器通过导通的第二支路和充电端将数据信息发送给无线耳机电路。本发明的充电盒电路能够与无线耳机通讯,且通讯时延较小,通讯速度高。
本发明授权充电盒及其电路、无线耳机充电系统及通讯方法在权利要求书中公布了:1.一种充电盒电路,其特征在于,包括: 第一电池; 第一充电管理单元,用于对所述第一电池进行充电管理; 升压单元,用于将所述第一电池的电压调整为充电电压后输出; 第一电容,与所述升压单元的输出端连接; 第一通讯单元,具有用于与无线耳机电路的充电端连接的第一支路和第二支路; 第一应用处理器,用于接收终端设备发送的数据信息,且能够输出控制信号给所述第一通讯单元,所述控制信号使所述第一支路和所述第二支路中的一者导通且另一者断开,当所述第一支路导通时,所述升压单元的输出端通过所述第一支路将所述充电电压输出给所述充电端;当所述第二支路导通时,所述第一应用处理器通过所述第二支路和所述充电端将所述数据信息发送给所述无线耳机电路; 所述第一支路包括电阻、第一开关器件,所述第二支路包括第二开关器件,所述第一通讯单元还包括第二反相器和第三开关器件, 所述第二反相器的输出端与所述第三开关器件的控制端连接,所述第三开关器件的第二端接地,所述第三开关器件的第一端和所述电阻的一端与所述第一开关器件的控制端连接,所述电阻的另一端和所述第一开关器件的第一端与升压单元的输出端连接,所述第一开关器件的第二端和所述第二开关器件的第一端与所述充电端连接,所述第二开关器件的第二端与所述第一应用处理器连接,所述第二反相器的输入端和所述第二开关器件的控制端用于接收所述控制信号,所述控制信号使所述第三开关器件和第一开关器件导通且使所述第二开关器件断开;或,所述控制信号使所述第三开关器件和第一开关器件断开且使所述第二开关器件导通; 所述第一开关器件为PMOS晶体管,所述第一开关器件的第一端为PMOS晶体管的源极,所述第一开关器件的第二端为PMOS晶体管的漏极,所述第一开关器件的控制端为PMOS晶体管的栅极;或所述第一开关器件为PNP晶体管,所述第一开关器件的第一端为PNP晶体管的发射极,所述第一开关器件的第二端为PNP晶体管的集电极,所述第一开关器件的控制端为PNP晶体管的基极;和或, 所述第三开关器件和所述第二开关器件为NMOS晶体管,所述第三开关器件和所述第二开关器件的第一端为NMOS晶体管的漏极,所述第三开关器件和所述第二开关器件的第二端为NMOS管的源极,所述第三开关器件和所述第二开关器件的控制端为栅极;或所述第三开关器件和所述第二开关器件为NPN晶体管,所述第三开关器件和所述第二开关器件的第一端为NPN晶体管的集电极,所述第三开关器件和所述第二开关器件的第二端为NPN晶体管的发射极,所述第三开关器件和所述第二开关器件的控制端为NPN晶体管的基极; 所述第一应用处理器将所述数据信息转化为高低电平信号后发送给所述无线耳机电路,所述高低电平信号的电压数值小于所述无线耳机电路充电所需的最小充电电压数值;和或, 所述充电盒电路包括第一存储器,所述第一应用处理器将接收的所述数据信息存储在所述第一存储器中。
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