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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011182519.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;李凤美;郑春生设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区；在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率；在所述导电开口内形成导电结构。从而，提高了半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区； 在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率； 在所述导电开口内形成导电结构； 所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例； 或者，所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例； 形成所述侧墙的方法包括：在形成所述第一介质层和栅极结构之前，在所述基底表面形成若干相互分立的伪栅结构；在所述伪栅结构的侧壁面形成初始侧墙；在形成所述第一介质层之后，回刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述第二区的初始侧墙；以所述第一介质层和所述伪栅结构为掩膜，采用远程等离子体处理工艺对所述第二区的初始侧墙进行改性处理，形成所述侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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