谢菲尔德大学王涛获国家专利权
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龙图腾网获悉谢菲尔德大学申请的专利发光二极管阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080066179.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权发光二极管阵列是由王涛设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管阵列在说明书摘要公布了：一种制造发光二极管LED阵列的方法，包括：形成三族氮化物材料的半导体层100；在半导体层上形成介电掩模层104，该介电掩模层具有穿过其的孔106的阵列，每个孔使半导体层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构108。孔的阵列包括均具有第一截面面积的第一组孔106a和均具有不同于第一截面面积的第二截面面积的第二组孔106b。
本发明授权发光二极管阵列在权利要求书中公布了：1.一种制造发光二极管LED阵列的方法，所述方法包括：形成三族氮化物材料的半导体层；在所述半导体层上形成介电掩模层，所述介电掩模层具有穿过其的孔的阵列，每个孔使所述半导体层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构，其中，所述孔的阵列包括均具有第一截面面积的第一组孔和均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组孔， 其中，在每个孔中生长LED结构的步骤包括在所述半导体层的暴露的所述区域上生长n型层、在所述n型层上生长至少一个激活层以及在所述至少一个激活层上生长p型层，并且 其中，所述至少一个激活层的上表面位于所述介电掩模层的顶部下方， 其中，每个LED结构填充所述LED结构在其中生长的所述孔，使得所述LED结构包括均具有第一截面面积的第一组LED结构以及均具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积的第二组LED结构， 其中，所述第一组LED结构均布置成发射具有第一峰值波长的光，并且所述第二组LED结构均布置成发射具有不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人谢菲尔德大学，其通讯地址为：英国谢菲尔德；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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