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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111631516.2，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统是由贾建权;刘红涛;靳磊设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统在说明书摘要公布了：本申请公开了非易失性存储器及数据读取方法以及存储系统，存储器包括存储单元和字线，同一行的存储单元连接于同一条字线，所述方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段。在预导通阶段中将与选定存储单元字线相邻的字线的电压升高至第一电平；在读取阶段中将选定存储单元字线的电压升高至初始读取电平，并将相邻字线的电压升高至第二电平。所述方法包括至少一次按照存储单元的低编程态、中编程态和高编程态进行读取的读取操作，初始读取电平为用于读取低编程态和中编程态中的任一个的读取电平，第一电平大于用于读取高编程态的读取电平。本方法可减缓字线间影响数据读取可靠性的耦合作用、减轻数据读取中与电势差相关的读取干扰，压缩读取时段。

本发明授权非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的数据读取方法，其特征在于，所述方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段，所述存储器包括存储单元串、共源端、位线和字线，所述存储单元串包括串联连接的底部选择栅晶体管、存储单元和顶部选择栅晶体管，所述位线连接所述顶部选择栅晶体管，所述共源端连接所述底部选择栅晶体管，其中位于不同所述存储单元串且位于同一层内的多个所述存储单元组成存储行，同一所述存储行的所述存储单元连接至同一所述字线，所述方法包括： 在所述预导通阶段中，将所述位线和所述共源端中的至少之一的电压升高至预充电平，并将与选定存储单元字线相邻的相邻字线的电压升高至第一电平；以及 在所述读取阶段中，将所述选定存储单元字线的电压升高至其初始读取电平，并将所述相邻字线的电压升高至第二电平， 其中，所述方法包括至少一次、按照所述存储单元的低编程态、中编程态以及高编程态进行读取的读取操作； 所述初始读取电平为用于读取所述低编程态和所述中编程态中的任一个的读取电平；以及 所述第一电平大于用于读取所述高编程态的读取电平。

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