中国科学院微电子研究所周娜获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111627590.7，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法是由周娜;毛海央;李宏博;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法。本发明的第一方面提供了一种悬浮吸收层热电堆器件的制作方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；在半导体衬底的正面由下至上依次形成支撑层、第一层热偶、第一绝缘层、第二层热偶、第二绝缘层；然后制作接触孔，填充接触孔以形成引线层；之后形成牺牲层，牺牲层覆盖第二绝缘层的部分表面，并且使引线层裸露；在牺牲层表面以及裸露的引线层和第二绝缘层表面覆盖吸光层，进行图形化；释放部分牺牲层使吸光层悬浮，以及对半导体衬底背面进行刻蚀形成背腔。本发明解决了现有技术中悬浮热电堆器件不易加工以及加工后结构机械稳定性差的问题。
本发明授权一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种悬浮吸收层热电堆器件的制作方法，其特征在于，包括下列步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面； 在所述半导体衬底的正面由下至上依次形成支撑层、第一层热偶、第一绝缘层、第二层热偶、第二绝缘层； 然后制作接触孔，填充接触孔以形成第一层热偶的引线层、第二层热偶的引线层，以及第一层热偶与第二层热偶之间热端连接的引线层； 之后形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第二绝缘层的部分表面，并且使所述第一层热偶与第二层热偶之间热端连接的引线层裸露； 在所述牺牲层表面以及裸露的第一层热偶与第二层热偶之间热端连接的引线层和第二绝缘层表面覆盖吸光层，进行图形化； 对所述半导体衬底背面进行刻蚀形成背腔；然后释放部分所述牺牲层使所述吸光层悬浮； 每组热偶对堆叠结构中，支撑层的上表面与第一绝缘层和第二绝缘层的至少一个侧边连成台阶形，并且所述吸光层支撑在该台阶形的侧边上。
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