环球晶圆股份有限公司庄志远获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利半导体基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110977660.5，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权半导体基板及其制造方法是由庄志远;吴华特设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体基板及其制造方法。所述方法包括在N型碳化硅基板的硅面外延成长缓冲层与碳化硅层，且所述碳化硅层为高阻碳化硅或N型碳化硅N‑SiC，然后在碳化硅层上外延成长氮化镓外延层，得到由所述缓冲层、所述碳化硅层与所述氮化镓外延层构成的半导体结构。在外延成长氮化镓外延层之后，使用激光于半导体结构内形成损伤层，并在氮化镓外延层的表面接合晶片载体，然后从所述损伤层分离N型碳化硅基板与半导体结构。
本发明授权半导体基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括： 在N型碳化硅基板的硅面外延成长缓冲层与碳化硅层，且所述碳化硅层为高阻碳化硅或N型碳化硅，所述高阻碳化硅层的电阻率大于1E5Ω·cm； 在所述碳化硅层上外延成长氮化镓外延层，得到由所述缓冲层、所述碳化硅层与所述氮化镓外延层构成的半导体结构； 在外延成长所述氮化镓外延层之后，使用激光于所述半导体结构内形成损伤层； 在所述氮化镓外延层的表面接合晶片载体；以及 从所述损伤层分离所述N型碳化硅基板与所述半导体结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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