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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111679643.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降低寄生三极管发射结的压降，抑制寄生三极管的开启，提高晶体管的耐雪崩能力。

本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、沟槽区5、漏极6以及源极； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方，所述基体区3和所述源区4依次设置在所述漂移区2的上方； 所述沟槽区5设置在所述基体区3侧方，并分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述源区4由第一N型源区41、第二N型源区42和P型源区43组成； 在所述源区4的横截面上，所述P型源区43设置于所述源区4远离所述沟槽区5的一角，在所述P型源区43相邻的两个侧边，分别连接所述第一N型源区41和所述第二N型源区42； 所述第一N型源区41和所述第二N型源区42的侧面所包围的区域设置所述沟槽区5； 所述沟槽区5包括屏蔽栅51、控制栅52、绝缘层53和金属栅极；所述控制栅52和所述屏蔽栅51由上至下依次设置在所述沟槽区5内，且经所述绝缘层53分隔；所述控制栅52通过所述绝缘层53分别与所述基体区3和所述源区4相接，所述屏蔽栅51通过所述绝缘层53与所述漂移区2相接； 所述源极设置在所述源区4上方；所述漏极6设置在所述衬底区1下方；所述金属栅极设在所述控制栅52上方； 所述沟槽区5设置有凸台区域54： 所述凸台区域54设置于所述第一N型源区41、所述基体区3和所述漂移区2的侧面； 在所述第一N型源区41上，与所述P型源区43连接的侧面相对的另一侧面连接所述沟槽区5的凸台区域54。

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