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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请的专利有源像素传感器及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210039367.9，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权有源像素传感器及其制备方法、显示装置是由闫雷;孟艳艳;李峰设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源像素传感器及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种有源像素传感器及其制备方法、显示装置，其中，该有源像素传感器包括：同层设置的至少两个第一重掺杂区、至少一个第二重掺杂区和至少两个I型区，第一重掺杂区和第二重掺杂区沿第一方向间隔设置且交替排列，各I型区位于相邻的第一重掺杂区与第二重掺杂区之间。本公开实施例的技术方案可以有效提高PIN器件中I型区的分布密度，使其适于高PPI显示产品。

本发明授权有源像素传感器及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种有源像素传感器，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底一侧的PIN器件，所述PIN器件包括： 同层设置的至少两个第一重掺杂区、至少一个第二重掺杂区和至少两个I型区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区沿第一方向间隔设置且交替排列，各所述I型区位于相邻的所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间，使得所述I型区与所述第一重掺杂区的配置比例等于1或大于1，所述I型区与所述第二重掺杂区的配置比例等于1或大于1，并且，当所述I型区与所述第一重掺杂区的配置比例等于1时，所述I型区与所述第二重掺杂区的配置比例大于1或者当所述I型区与所述第二重掺杂区的配置比例等于1时，所述I型区与所述第一重掺杂区的配置比例大于1； 所述第二重掺杂区包括第一子掺杂区，至少两个所述第一重掺杂区和至少两个I型区均在所述第一子掺杂区的相对侧成对设置；成对设置的所述I型区的端部均朝向所述第一子掺杂区延伸，以使所述第一子掺杂区在所述基底上的正投影在成对设置的所述I型区在所述基底上的正投影的范围内；成对设置的所述第一重掺杂区的端部均朝向所述第一子掺杂区延伸，以使所述第一子掺杂区所述基底上的正投影在成对设置的所述第一重掺杂区在所述基底上的正投影的范围内，所述第一方向为从所述第一子掺杂区的中心垂直指向所述第一子掺杂区的周侧边缘的方向。

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