长江存储科技有限责任公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利具有阶梯结构的三维存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004032.7，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权具有阶梯结构的三维存储器器件及其形成方法是由张中;周文犀;王迪;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2021-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有阶梯结构的三维存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种三维3D存储器器件包括交错的导电层和电介质层。导电层和电介质层的边缘限定多个阶梯。3D存储器器件还可以包括多个着陆结构，每个着陆结构设置在相应阶梯处的相应导电层上。着陆结构中的每一个着陆结构包括第一材料的第一层和第二材料的第二层。第一层在第二层之上。第二材料不同于第一材料。
本发明授权具有阶梯结构的三维存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器器件，包括： 交错的导电层和电介质层，其中，所述导电层和所述电介质层的边缘限定多个阶梯；以及 多个着陆结构，每个着陆结构设置在相应阶梯处的相应导电层上，其中，所述着陆结构中的每一个着陆结构包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第一层在所述第二层之上，所述第二材料不同于所述第一材料， 其中，所述第一材料包括导电材料，并且 其中，所述第一层与所述相应导电层接触，并且横向地和垂直地围绕所述第二层。
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