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龙图腾网获悉贵州大学申请的专利一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111453562.8，技术领域涉及：H10P32/14；该发明授权一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法是由马奎;杨发顺;杨赉;姬凯迪;高灿灿设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法，其它包括：步骤1、选取C面蓝宝石作为衬底材料；步骤2、采用射频磁控溅射制备在衬底材料上制备出β‑Ga22O33薄膜材料；步骤3、将磁控溅射后的样品放入水平管式高温扩散炉中进行后退火处理；步骤4、退火后采用XRD和AFM测试仪器检测样品的薄膜结构和晶体表面粗糙程度；步骤5、掺杂：采用双靶交替即射频溅射Ga22O33和直流溅射金属薄膜交替在同一衬底上进行磁控溅射制备“Ga22O33金属……金属Ga22O33”的复合结构；步骤6、掺杂完成后采用扩散炉对所得复合结构样品进行退火处理；解决了现有技术提高p型Ga22O33导电能力难以实现的技术问题。

本发明授权一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法在权利要求书中公布了：1.一种在氧化镓材料中掺杂金属原子的实现方法，其特征在于：它包括： 步骤1、选取C面蓝宝石Al2O3作为衬底材料； 步骤2、采用射频磁控溅射制备在衬底材料上制备出β-Ga2O3薄膜材料； 步骤3、将磁控溅射后的样品放入水平管式高温扩散炉中进行后退火处理； 退火处理的具体方法包括： 步骤3.1、固定退火温度和退火时间，仅改变退火气氛，得出最优的退火气氛； 步骤3.2、同步骤3.1，依次得最优的退火工艺参数；最优参数为：退火温度1000℃，氧气退火气氛，退火时间90min； 步骤4、退火后采用XRD和AFM测试仪器检测样品的薄膜结构和晶体表面粗糙程度； 步骤5、掺杂：采用双靶交替即射频溅射Ga2O3和直流溅射金属薄膜交替在同一衬底上进行磁控溅射制备“Ga2O3金属……金属Ga2O3”的复合结构； 步骤6、掺杂完成后采用扩散炉对所得复合结构样品进行退火处理，退火参数同步骤3.2； 步骤7、利用XRD和AFM表征薄膜材料样品，检测“Ga2O3金属……金属Ga2O3”复合结构的性质； 步骤8、设计激光区熔实验，通过高能激光束扫描样品； 步骤9、激光区熔后再利用表征设备对“Ga2O3金属……金属Ga2O3”复合结构进行结构性质以及电性质的测试。

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