东京毅力科创株式会社沟本康隆获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基板处理方法和基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080052537.6，技术领域涉及：H10P54/00；该发明授权基板处理方法和基板处理装置是由沟本康隆设计研发完成，并于2020-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法和基板处理装置在说明书摘要公布了：一种基板处理方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片。
本发明授权基板处理方法和基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，包括： 准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜，其中，在所述粘接膜与所述第一基板之间存在所述保护膜； 利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及 利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片， 其中，所述基板处理方法还包括： 在所述第一基板的第一主表面形成所述保护膜； 在形成所述保护膜后且粘接所述保护膜与所述第二基板前，在所述保护膜的表面的分割预定线处形成比所述芯片的器件更深的第一槽； 利用所述粘接膜将所述保护膜与所述第二基板粘接； 在粘接所述保护膜与所述第二基板后，以使所述第一基板的与所述第一主表面相反朝向的第二主表面靠近所述第一主表面的方式去除所述第一基板的一部分，从而将所述第一基板薄化； 在薄化所述第一基板后且拾取所述芯片前，形成在所述第一基板的所述第二主表面的分割预定线处具有开口部的掩模，通过所述掩模的所述开口部对所述第二主表面进行蚀刻，来形成与所述第一槽相连的第二槽，从而将所述第一基板分割为多个所述芯片。
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