株式会社半导体能源研究所大贯达也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047776.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由大贯达也;松嵜隆德;山崎舜平设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括配置于衬底上的第一导电体、以与第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物、配置于氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体、配置于第二导电体至第四导电体上且形成有第一开口及第二开口的第一绝缘体、配置于第一开口中的第二绝缘体、配置于第二绝缘体上的第五导电体、配置于第二开口中的第三绝缘体、配置于第三绝缘体上的第六导电体，第三导电体以配置于第一导电体的方式配置，在第二导电体与第三导电体之间的区域重叠第一开口，在第三导电体与第四导电体之间的区域重叠形成第二开口。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 配置于衬底上的第一导电体； 以与所述第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物； 配置于所述氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体； 形成有第一开口及第二开口的第一绝缘体，该第一绝缘体配置于所述第二导电体至所述第四导电体上； 配置于所述第一开口中的第二绝缘体； 配置于所述第二绝缘体上的第五导电体； 配置于所述第二开口中的第三绝缘体；以及 配置于所述第三绝缘体上的第六导电体， 其中，所述第三导电体以与所述第一导电体重叠的方式配置， 在所述第二导电体与所述第三导电体之间的区域重叠形成所述第一开口， 在所述第三导电体与所述第四导电体之间的区域重叠形成所述第二开口， 所述第二绝缘体与所述氧化物的顶面及所述第一绝缘体的侧面接触， 并且，所述第三绝缘体与所述氧化物的所述顶面及所述第一绝缘体的所述侧面接触。
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