富士电机株式会社尾崎大辅获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047040.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置是由尾崎大辅;白川彻;阿形泰典设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部， 在所述晶体管部的俯视所述半导体基板时的所述二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区， 所述二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区， 所述晶体管部和所述二极管部双方在所述半导体基板的表面具有第二导电型的基区， 所述晶体管部在所述半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区， 所述二极管部的所述基区的掺杂浓度为1E+16cm-3以上且1E+18cm-3以下， 所述寿命控制区的所述注入抑制区侧的端部位于从所述二极管部的所述注入抑制区侧的端部向所述二极管部内后退了1μm以上且100μm以下的距离的位置， 所述晶体管部和所述注入抑制区具有多个台面部，所述台面部在多个沟槽部之间沿所述晶体管部和所述二极管部的延伸方向延伸，所述多个沟槽部沿所述延伸方向延伸且沿所述晶体管部和所述二极管部的排列方向排列， 在所述注入抑制区的台面部，所述发射区和所述抽出区中的任一个配置为，分别与配置于在所述晶体管部侧相邻的台面部的所述发射区分别相邻。
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