美光科技公司林克翰获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利半导体装置组合件的经改进凸块共面性及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110940346.X，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权半导体装置组合件的经改进凸块共面性及其制造方法是由林克翰;蔡宗哲设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置组合件的经改进凸块共面性及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开半导体装置组合件的经改进凸块共面性与相关联方法及系统。在一个实施例中，当形成半导体装置的钝化层中的开口以暴露接合垫的表面时，还可在所述钝化层中形成额外开口。通过使用漏铬工艺对所述钝化层进行部分曝光，额外开口可具有比延伸到接合垫的所述表面的所述开口浅的深度。随后，当在接合垫的所述经暴露表面上形成有源凸块支柱时，可在所述额外开口的凹陷表面上形成虚设凸块支柱，使得所述有源凸块与所述虚设凸块之间的高于钝化表面的高度的差被减小以改进共面性。
本发明授权半导体装置组合件的经改进凸块共面性及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体裸片，其包括： 钝化层，其包含接合垫上方的电介质层及所述电介质层上方的聚酰亚胺层； 第一开口，其在所述钝化层中，所述第一开口从所述钝化层的表面延伸到所述接合垫的表面； 第一导电支柱，其经安置在所述第一开口内，所述第一导电支柱经连接到所述接合垫且具有高于所述钝化层的所述表面的第一高度； 第二开口，其在所述钝化层中，所述第二开口从所述钝化层的所述表面延伸经过所述聚酰亚胺层；及 第二导电支柱，其经安置在所述第二开口内，所述第二导电支柱具有高于所述钝化层的所述表面的第二高度，其中所述第一与第二高度之间的差小于或等于预定值。
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