全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111159019.7，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端在说明书摘要公布了：一种良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：基于预设的横向芯片数量和纵向芯片数量，确定第一形状晶圆图；基于设定的失效芯片所形成的图形，确定所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置；基于所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置，获得与所述第一形状晶圆图相对应的第二形状良率晶圆图。本发明有机会提高失效芯片标记的准确性和便利性，并且可以有效减少绘制总量。
本发明授权良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端在权利要求书中公布了：1.一种良率晶圆图的形成方法，其特征在于，包括： 基于预设的横向芯片数量和纵向芯片数量，确定第一形状晶圆图，包括：确定晶圆图的横向芯片数量和纵向芯片数量；采用所述横向芯片数量和纵向芯片数量中的一个作为半长轴长，另一个作为半短轴长，形成第一椭圆；基于所述第一椭圆，形成椭圆形晶圆图，其中，所述椭圆形晶圆图内的每个芯片采用边长为单位长度的正方形表示； 基于设定的失效芯片所形成的图形，确定所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置； 基于所述第一形状晶圆图中失效芯片的数量和位置，获得与所述第一形状晶圆图相对应的第二形状良率晶圆图，包括：将椭圆形良率晶圆图转换为圆形良率晶圆图。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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