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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利边缘环的保持方法、等离子体处理装置及基板处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212251.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权边缘环的保持方法、等离子体处理装置及基板处理系统是由玉虫元设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本边缘环的保持方法、等离子体处理装置及基板处理系统在说明书摘要公布了：本发明的等离子体处理装置的基板支承器的第1静电卡盘具有第1及第2电极，保持边缘环。基板支承器的第2静电卡盘保持基板。第1电极比第2电极更靠近第2静电卡盘延伸。在等离子体处理中，具有正极性的第1电压被施加到第1及第2电极。在等离子体处理后的第1期间，具有负极性的第2电压被施加到第1及第2电极。在第1期间之后的第2期间，具有正极性的第3电压被施加到第1电极，具有负极性的第4电压被施加到第2电极。第3电压的绝对值小于第1电压的绝对值及第2电压的绝对值。

本发明授权边缘环的保持方法、等离子体处理装置及基板处理系统在权利要求书中公布了：1.一种边缘环的保持方法，其包括： 为了在对等离子体处理装置的腔室内的基板执行等离子体处理的过程中由基板支承器的第1静电卡盘保持边缘环，对该第1静电卡盘的第1电极及第2电极施加具有正极性的第1电压的工序，所述等离子体处理在所述基板在由所述边缘环包围的区域内载置于所述基板支承器的第2静电卡盘上的状态下执行； 为了在所述等离子体处理之后且在从所述腔室搬出所述基板后的第1期间由所述第1静电卡盘保持所述边缘环，对所述第1电极及所述第2电极施加具有负极性的第2电压的工序，使用在该第1期间在所述腔室内生成的等离子体来执行所述腔室的清理；及 为了在所述第1期间之后的第2期间由所述第1静电卡盘保持所述边缘环，对所述第1电极及所述第2电极分别施加第3电压及第4电压的工序，使用在该第2期间在所述腔室内生成的等离子体来执行所述腔室的清理， 所述第1电极比所述第2电极更靠近所述第2静电卡盘延伸， 所述第3电压具有正极性，所述第4电压具有负极性，所述第3电压的绝对值小于所述第1电压的绝对值、所述第2电压的绝对值及所述第4电压的绝对值，以使所述第3电压的绝对值及所述第4电压的绝对值抑制在执行所述腔室的所述清理之后搬运到所述第2静电卡盘上的其他基板的错位。

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