东京毅力科创株式会社冈部宪明获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110239207.4，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权处理晶片的方法是由冈部宪明;清野拓哉;小塚亮太;滨田康弘;季子祐太郎设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理晶片的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进行蚀刻的工序。硬掩模具有包含钨且且设置在含硅膜上的第一膜、以及包含锆或者钛以及氧且设置在第一膜上的第二膜。
本发明授权处理晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种处理晶片的方法，具备： 准备晶片的工序，其中该晶片具有基板和设置在该基板上的含硅膜； 在上述含硅膜上形成硬掩模的工序； 在上述硬掩模上形成含碳膜的工序； 将上述含碳膜作为掩模来对上述硬掩模进行蚀刻来在该硬掩模形成图案的工序；以及 使用形成有上述图案的上述硬掩模对上述含硅膜进行蚀刻的工序， 上述硬掩模具有包含钨的第一膜和包含锆或者钛以及氧的第二膜，上述第一膜被设置在上述含硅膜上，上述第二膜被设置在上述第一膜上，并且 在该硬掩模形成图案的上述工序中，上述第一膜和上述第二膜具有转印到上述含硅膜的彼此相同的图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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