佳能株式会社玉木顺也获国家专利权
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龙图腾网获悉佳能株式会社申请的专利半导体装置和用于制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113299627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110193193.7,技术领域涉及:H10W20/43;该发明授权半导体装置和用于制造半导体装置的方法是由玉木顺也;三木崇史;吉田凌;鹿海敦;浅野功辅;丰田刚宏;栗原政树设计研发完成,并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和用于制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了:本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括在半导体层上的各自具有镶嵌结构的多条布线,其中该多条布线包括彼此相邻的第一布线和第二布线,其中第一布线沿着第一布线延伸的方向包括第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间的第三部分,并且其中第三部分的宽度大于第一部分的宽度和第二部分的宽度中的每一个。
本发明授权半导体装置和用于制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括在半导体层上的各自具有镶嵌结构的多条布线, 其中,所述多条布线包括彼此相邻的第一布线和第二布线, 其中,所述第一布线的第一端与第二端之间的距离大于33mm, 其中,所述第一布线沿着所述第一布线延伸的方向包括第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分, 其中,所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度中的每一个小于180nm, 其中,所述第三部分的宽度大于所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度中的每一个, 其中,所述第一部分沿着所述方向位于所述第一端和所述第三部分之间, 其中,所述第二部分沿着所述方向位于所述第二端和所述第三部分之间, 其中,所述第一布线沿着所述方向包括位于所述第一端和所述第一部分之间的第四部分、位于所述第四部分和所述第一部分之间的第五部分、位于所述第二端和所述第二部分之间的第六部分以及位于所述第六部分和所述第二部分之间的第七部分,并且 其中,所述第五部分的宽度和所述第七部分的宽度中的每一个大于所述第一部分的宽度、所述第二部分的宽度、所述第四部分的宽度和所述第六部分的宽度中的每一个。
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