晶元光电股份有限公司杨智咏获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111969086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010423790.X，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权发光二极管及其制造方法是由杨智咏;王心盈;郭得山设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光二极管及其制造方法，其中该发光二极管包含：一半导体叠层，以一第一方向依序叠有一第一半导体层、一发光层、以及一第二半导体层；一透明导电层，形成于半导体叠层上，电连接第二半导体层；一绝缘层，形成于透明导电层上，包含一第一开口；以及一第一电极层，形成于绝缘层上，包含一第一焊垫区以及一第一延伸区，其中第一延伸区自第一焊垫区的一边缘以一第二方向延伸出；以及第二电极层，形成于绝缘层上，电连接第一半导体层；其中，第一延伸区通过第一开口接触透明导电层，且第一延伸区完全包围第一开口；以及该第一延伸区与该第二电极层在该第一方向上不重叠。
本发明授权发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包含： 半导体叠层，以第一方向依序叠有第一半导体层、发光层、以及第二半导体层； 透明导电层，形成于该半导体叠层上，电连接该第二半导体层； 绝缘层，形成于该透明导电层上，包含第一开口；以及 第一电极层，形成于该绝缘层上，包含第一焊垫区以及第一延伸区，其中该第一延伸区连接该第一焊垫区且包含一区段以第二方向延伸；以及 第二电极层，形成于该绝缘层上，电连接该第一半导体层； 其中，该第一延伸区通过该第一开口接触该透明导电层；以及 该第一延伸区与该第二电极层在该第一方向上不重叠: 其中，该区段包含第一部分位于该第一开口上以及第二部分连接该第一部分； 在一俯视图中，在垂直于该第二方向的方向上，该第一部分具有第一宽度，该第一开口具有第二宽度以及该第二部分具有第三宽度； 其中该第一宽度大于该第二宽度以及该第三宽度。
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