三星电子株式会社尹世元获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010253754.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置是由尹世元;姜勍旻;姜东求设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置在说明书摘要公布了：本公开提供了页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置。描述了包括页缓冲器以减少存储单元的阈值电压分布偏斜并改善编程性能的系统和方法。页缓冲器包括：第一电路元件，连接到用于供给第一位线电压的第一端子；第二电路元件，连接到用于供给第二位线电压的第二端子；以及锁存器，配置为控制第一电路元件和第二电路元件。
本发明授权页缓冲器和包括该页缓冲器的存储装置在权利要求书中公布了：1.一种配置为向连接到多个存储单元的位线供给位线电压的页缓冲器，所述页缓冲器包括： 第一电路元件，连接到用于供给第一位线电压的第一端子； 第二电路元件，连接到用于供给比所述第一位线电压低的第二位线电压的第二端子；和 锁存器，配置为基于在所述多个存储单元当中是否存在被选择的存储单元来控制所述第一电路元件和所述第二电路元件，并且配置为将所述第一位线电压和所述第二位线电压中的一个施加到所述位线， 其中，当在所述多个存储单元当中存在所述被选择的存储单元时，基于连接到所述位线的沟道的信息，所述第二位线电压的电平低于所述第一位线电压的电平且高于或等于地电压的电平， 其中，所述第二位线电压基于所述沟道的栅绝缘层的厚度来确定， 其中，第一位线电压被供给到连接至相对靠近字线切割区域的沟道的位线，并且第二位线电压被供给到连接至相对远离字线切割区域的沟道的位线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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