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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910516722.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构是由都桢湖设计研发完成，并于2019-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构在说明书摘要公布了：提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构，其包括竖直场效应晶体管，竖直场效应晶体管具有：用作竖直沟道的至少两个鳍；栅极，其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分；以及顶部源极漏极，其包括第一鳍上的第一顶部源极漏极部分和第二鳍上的第二顶部源极漏极部分。单元架构还包括：栅极接触结构，其连接至第三栅极部分；顶部源极漏极接触结构，其连接至第一顶部源极漏极部分和第二顶部源极漏极部分中的一个，并且用作水平导电布线层；以及金属图案，其位于栅极接触结构和顶部源极漏极接触结构上，并且通过过孔连接至它们，并且用作竖直导电布线层。

本发明授权基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构在权利要求书中公布了：1.一种单元架构，包括： 竖直场效应晶体管，其包括： 从衬底突出的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍和所述第二鳍在第一方向上彼此间隔开并且在与所述第一方向交叉的第二方向上伸长， 栅极，其包括所述第一鳍的侧壁上的第一栅极部分、所述第二鳍的侧壁上的第二栅极部分、以及将所述第一栅极部分与所述第二栅极部分连接的第三栅极部分，所述第一栅极部分和所述第二栅极部分在所述第一方向上间隔开，以及 顶部源极漏极,其包括所述第一鳍的顶部处的第一顶部源极漏极部分和所述第二鳍的顶部处的第二顶部源极漏极部分； 栅极接触结构，所述栅极接触结构在平面图中观察时在所述第二方向上与所述第一鳍和所述第二鳍间隔开，所述栅极接触结构连接至所述第三栅极部分； 顶部源极漏极接触结构，其连接至所述第一顶部源极漏极部分和所述第二顶部源极漏极部分中的一个，所述顶部源极漏极接触结构和所述栅极接触结构中的至少一个用作所述第一方向上的第一导电布线层； 金属图案，其位于所述栅极接触结构和所述顶部源极漏极接触结构上，所述金属图案构造为分别通过过孔连接至所述栅极接触结构和所述顶部源极漏极接触结构中的至少一个，所述金属图案用作所述第二方向上的第二导电布线层；以及 附加顶部源极漏极接触结构，其与所述栅极接触结构重叠并且不连接至所述第一顶部源极漏极部分和所述第二顶部源极漏极部分中的任意一个。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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