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龙图腾网获悉深圳奥拦科技有限责任公司申请的专利一种导热石墨烯散热片的覆膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121063961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511625759.3，技术领域涉及：C23C16/513；该发明授权一种导热石墨烯散热片的覆膜方法是由苏建华;云洋设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种导热石墨烯散热片的覆膜方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种导热石墨烯散热片的覆膜方法，涉及散热片覆膜技术领域，方法包括：步骤S1，制备出石墨烯散热片基底；步骤S2，对石墨烯散热片基底进行等离子体处理，在石墨烯散热片基底的表面形成凹坑状微结构；其中，等离子体处理包括等离子清洁和等离子轰击；步骤S3，对等离子体处理后的石墨烯散热片基底的表面进行真空镀膜处理，得到具有绝缘层的导热石墨烯散热片。通过步骤S2的等离子清洁与等离子轰击的协同作用，在石墨烯散热片基底的表面形成凹坑状微结构，有利于后续步骤S3的真空镀膜中绝缘层的均匀沉积与机械嵌合，从而增强绝缘层的附着牢固性。因此，本发明解决了现有技术中导热石墨烯散热片的覆膜附着力不足的技术问题。

本发明授权一种导热石墨烯散热片的覆膜方法在权利要求书中公布了：1.一种导热石墨烯散热片的覆膜方法，其特征在于，包括： 步骤S1，制备出石墨烯散热片基底； 步骤S2，对所述石墨烯散热片基底进行等离子体处理，在所述石墨烯散热片基底的表面形成凹坑状微结构；其中，等离子体处理包括等离子清洁和等离子轰击； 步骤S3，对等离子体处理后的石墨烯散热片基底的表面进行真空镀膜处理，得到具有绝缘层的导热石墨烯散热片；其中，所述绝缘层的厚度为0.5~20μm，所述绝缘层为氧化铝绝缘层； 所述步骤S1包括： 步骤S11，选取少层石墨烯粉末作为原料，所述少层石墨烯的层数为5~15层； 步骤S12，将所述少层石墨烯粉末定向铺展于成型模具中，并施加10~50MPa的压力进行预压密实，得到预压坯体； 步骤S13，在惰性气体保护下，对所述预压坯体进行阶梯式升温热处理，得到石墨化基底； 步骤S14，对所述石墨化基底进行双向等静压处理，施压介质选用硅油，在180~220℃的温度下施加100~150MPa的压力，保压时间大于或等于60min，形成厚度10~100μm的石墨烯散热片基底； 所述步骤S2包括： 步骤S21，将石墨烯散热片基底置于等离子体处理设备的真空腔室中，并固定于水冷阴极载物台，水冷阴极载物台的温度控制在15~25℃； 步骤S22，将真空腔室抽真空至基础压强≤5×10-2Pa，并通入氩气作为工作气体，气体流量控制为30~50sccm，维持腔室压强在15~25Pa； 步骤S23，开启射频电源，施加射频功率为50~80W的等离子体，对石墨烯散热片基底的表面进行等离子清洁；其中，阴极偏压设定为-50~-100V，等离子清洁时间为3~5min； 步骤S24，将射频功率调节至100~200W，通过氩离子对等离子清洁后的石墨烯散热片基底的表面进行定向轰击，得到具有凹坑状微结构的石墨烯散热片基底；其中，阴极偏压升高至-300~-600V，氩气流量增至50~80sccm，维持腔室压强在20~40Pa，定向轰击时间为8~15min。

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