浙江大学杭州国际科创中心王万堂获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种碳化硅晶圆表面清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121034948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511552951.4，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种碳化硅晶圆表面清洗方法是由王万堂;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶圆表面清洗方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅晶圆表面清洗方法，包括以下几个步骤：提供地聚合物分散液；将表面吸附有重金属离子和氧化铝颗粒的碳化硅晶圆浸没在地聚合物分散液中，去除碳化硅晶圆表面的重金属离子；采用皮秒激光或纳秒激光照射浸泡后的碳化硅晶圆表面，去除表面的氧化铝颗粒及浸泡清洗后残留的硅‑铝粉体；清洗碳化硅晶圆表面，干燥得到完整的碳化硅晶圆表面，其中，地聚合物分散液按如下方法制备得到：将硅酸盐和铝酸盐与碱性溶液混合，搅拌得到地聚合物浆料；再将地聚合物浆料固化，并将所述地聚合物研磨粉碎后与分散剂、水通过混合得到地聚合物分散液；该清洗方法环保，提高碳化硅晶圆表面清洁度。
本发明授权一种碳化硅晶圆表面清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆表面清洗方法，其特征在于，包括以下几个步骤： 提供地聚合物分散液； 将表面吸附有重金属离子和氧化铝颗粒的碳化硅晶圆浸没在所述地聚合物分散液中，在pH为11-13、温度为30℃-40℃条件下浸泡反应，去除碳化硅晶圆表面的重金属离子； 采用皮秒激光或纳秒激光照射浸泡后的碳化硅晶圆表面，去除碳化硅晶圆表面的氧化铝颗粒以及浸泡清洗后表面残留的硅-铝粉体； 用去离子水清洗碳化硅晶圆表面，干燥，得到完整的碳化硅晶圆表面； 所述地聚合物分散液按如下方法制备得到：将硅酸盐和铝酸盐作为前驱体与碱性溶液混合，搅拌均匀得到地聚合物浆料；再将所述地聚合物浆料固化后，形成由AlO4和SiO4四面体结构单元组成三维网络结构的地聚合物，将所述地聚合物研磨粉碎后与分散剂、水通过混合得到地聚合物分散液。
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