中国科学院上海技术物理研究所马英杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510231540.9，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法是由马英杰;王琪;李雪设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外光电器件领域，特别是一种级联降噪平面型雪崩光电二极管，在衬底和帽层之间包含级联倍增区。在级联倍增区中形成PN结，且该PN结是平面型PN结。本发明还包含级联降噪平面型雪崩光电二极管的制备方法。本发明对线性雪崩光电二极管结构进行改进和创新，引入倍增区域和级联增益级，通过将多个增益阶段串联起来，每个阶段都可以对信号进行一次放大以最大化电子引发的碰撞电离，同时最小化空穴电离。通过优化每个增益级中的各子层厚度和掺杂浓度，来降低额外的倍增噪声并减小暗电流，从而提高器件增益并降低器件噪声。本发明的制备方法，利用平面结型工艺，利用两次扩散形成P型区域实现平面结，来降低器件暗电流。
本发明授权一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种的级联降噪平面型雪崩光电二极管，其特征在于，包含衬底、级联倍增区和帽层；最底层为所述衬底，最顶层为所述帽层；所述级联倍增区位于所述衬底和所述帽层之间，使用分子束外延系统生成；在所述帽层中形成PN结；所述PN结是平面型PN结； 所述级联倍增区包含多个倍增层； 在所述倍增层内，由下至上，依次包含第一倍增阻挡层、倍增势阱层、第二倍增阻挡层和倍增子电荷层； 所述第一倍增阻挡层和所述第二倍增阻挡层的材料为In0.52Al0.48AS，厚度为0.02微米，掺杂浓度为N型5×1014cm-3；所述倍增势阱层的材料为In0.52Al0.24AS，厚度为0.01微米，掺杂浓度为N型5×1014cm-3；所述倍增子电荷层的材料为In0.52Al0.48AS，厚度为0.02微米，掺杂浓度为N型1×1017cm-3。
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