西安电子科技大学郭辉获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510146318.9，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关及其制备方法是由郭辉;林舟洋;王雨田设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括：金属电极，形成于衬底层两端的侧面上；氧化锌掺铝层，形成于衬底层的阳极位置，且对称分布于衬底层的部分入光面、部分背光面；氮化硅层，形成于衬底层的阳极位置和阴极位置，且对称分布于衬底层的部分入光面和部分背光面，位于阳极位置的氮化硅层还对称分布于氧化锌掺铝层上。这样，通过在金属电极和衬底层上设置氧化锌掺铝层和氮化硅层，提高光导开关吸收效率。同时将氧化锌掺铝作为扩展结构，分散了金属电极的电流密度，将氮化硅层作为钝化层，抑制金属电极之间的表面闪络，提高了开关耐压能力。
本发明授权一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电极扩展结构的纵向型光导开关，其特征在于，包括衬底层、金属电极、氧化锌掺铝层和氮化硅层； 所述金属电极，形成于所述衬底层两端的侧面上； 所述氧化锌掺铝层，形成于所述衬底层的阳极位置，且对称分布于所述衬底层的部分入光面、部分背光面，所述阳极位置为所述衬底层一侧的位置； 所述氮化硅层，形成于所述衬底层的阳极位置和阴极位置，且对称分布于所述衬底层的部分入光面和部分背光面，位于所述阳极位置的所述氮化硅层还对称分布于所述氧化锌掺铝层上，所述阴极位置为所述衬底层另一侧的位置。
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