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龙图腾网获悉中锃半导体(深圳)有限公司申请的专利一种半导体工艺设备及气体分布组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119957705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157283.9，技术领域涉及：F16K11/056；该发明授权一种半导体工艺设备及气体分布组件是由谭志明;林志恒设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体工艺设备及气体分布组件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及气体分布组件。由于气体分布组件的布气通道有至少两个，布气阀结构中的主动磁性件能够带动从动磁性件运动，使从动磁性件改变布气通道的通流面积，从而调节布气通道中的气流量，改变气体的分布模式。相比目前固定的气体分布模式，本申请中的气体分布组件中气体的分布模式可以调节，能够更好的适应不同的工艺和材料对气体不同的需求，改善了目前的气体分布系统中气体的分布模式对不同气体需求适应性差的问题。另外，主动磁性件通过与从动磁性件的磁性作用力驱动从动磁性件，能够减小零部件之间的磨损，增强设备的稳定性。

本发明授权一种半导体工艺设备及气体分布组件在权利要求书中公布了：1.一种气体分布组件，其特征在于，包括： 进气盖，所述进气盖具有进气孔，所述进气孔供气体进入； 布气盘，所述布气盘具有至少两个布气孔，所述布气孔用于向半导体工艺设备的反应室喷气；所述进气盖与所述布气盘在所述布气盘厚度方向上布置；所述气体分布组件具有至少两个布气通道，所述布气通道导通所述布气孔与所述进气孔； 以及布气阀结构，所述布气阀结构包括主动磁性件和从动磁性件，所述主动磁性件通过与所述从动磁性件之间的磁力作用能够带动所述从动磁性件运动，以使所述从动磁性件改变所述布气通道的通流面积调节所述布气通道中的气流量； 所述从动磁性件包括从动磁环，所述主动磁性件包括主动磁环，所述从动磁环与所述主动磁环同轴布置；所述主动磁环通过带动所述从动磁环转动，以改变所述布气通道的通流面积； 所述布气通道包括环形通道和调节通道，至少两个所述布气孔与同一个所述环形通道连通；所述环形通道通过所述调节通道与所述进气孔相通；各所述布气通道的环形通道同心布置；各所述调节通道均具有供气体进入的调节口，各所述调节通道的调节口呈环形布置，所述从动磁性件通过调节所述调节口的通流面积调节所述布气通道中的气流量。

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