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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411878453.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由汪洋;董龙辉;何早阳;黄剑设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光电技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法，以提高该太阳能电池的钝化性能和抗紫外诱导衰减能力。一种太阳能电池，包括：基底，基底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，基底的第一表面形成有发射极，发射极的掺杂类型和基底的掺杂类型相反；第一钝化层，第一钝化层设置于基底的第一表面一侧；第一钝化层包括：第一氧化铝层；沿逐渐远离基底的方向，第一氧化铝层中的H含量递减。

本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面； 在所述基底的第一表面形成发射极，所述发射极的掺杂类型和所述基底的掺杂类型相反； 在预设温度和预设压力下，向ALD腔体内通入水蒸气，对所述基底的第一表面一侧进行水预处理； 向所述ALD腔体内通入第一铝源，所述第一铝源与水预处理后的所述基底的第一表面发生反应，生成第一氧化铝膜层； 向所述ALD腔体内交替通入第一氧源和所述第一铝源，所述第一氧源与第j氧化铝膜层背离所述基底的一侧表面发生反应，生成第i氧化物膜层，所述第一铝源与所述第i氧化物膜层发生反应，生成第i氧化铝膜层，制备含氢的氧化铝膜层；其中，i为2~n的整数，n为大于或等于2的整数，j=i-1，所述第一氧源为含氢氧源；以及 向ALD腔体内交替通入第二氧源和第二铝源，所述第二氧源与所述含氢的氧化铝层背离所述基底的一侧表面发生反应，生成氧化物第一膜层，所述第二铝源与所述氧化物第一膜层发生反应，生成氧化铝第一膜层； 在第k次交替通入所述第二氧源和所述第二铝源的情况下，所述第二氧源与氧化铝第s膜层背离所述基底的一侧表面发生反应，生成氧化物第k膜层，所述第二铝源与所述氧化物第k膜层发生反应，生成氧化铝第k膜层，制备不含氢的氧化铝膜层；其中，k为2~m的整数，m为大于或等于2的整数，s=k-1； 对所述含氢的氧化铝膜层和所述不含氢的氧化铝膜层进行退火，在所述基底的第一表面一侧形成第一钝化层；所述第一钝化层包括：第一氧化铝层；沿逐渐远离所述基底的方向，所述第一氧化铝层中的H含量递减，所述第一氧化铝层中的H含量从5×1021cm-3降低至4×1019cm-3。

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