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龙图腾网获悉上海核工程研究设计院股份有限公司;江西天红科技有限公司申请的专利基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119785905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411839690.X，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法及系统是由陈军;杨波;冯雷;毕光文;韩宇;杨伟焱;彭良辉;费敬然;吴桂凯;薛泓元;向玉新;贾龙飞设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法及系统在说明书摘要公布了：一种基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法及系统，属于核工程领域。其中，基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法包括以下步骤：计算得到燃耗深度与燃料组件核素成分的对应关系和燃料组件的轴向燃耗分布与燃料循环、燃耗深度的对应关系，进而计算得到辐照孔道热中子注量率与燃耗循环、燃耗深度的对应关系；以与辐照孔道热中子注量率不超过给定阈值的位置作为探测器安装区域，利用活化箔标定安装在探测器安装区域的钒自给能探测器信号与辐照孔道热中子注量率的对应关系，从而利用钒自给能探测器对单晶硅热中子注量率进行监测。

本发明授权基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于钒自给能探测器的单晶硅中子辐照监测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤a：建立用于单晶硅中子辐照处理的研究堆的燃料组件燃耗模型，并计算燃耗深度与所述燃料组件的核素成分的对应关系； 步骤b：建立所述研究堆的堆芯模型，根据所述步骤a的计算结果计算得到所述燃料组件的轴向燃耗分布与燃料循环、燃耗深度的对应关系； 步骤c：建立所述研究堆的辐照孔道模型，将所述辐照孔道模型与所述堆芯模型和重水反射层耦合，计算得到辐照孔道热中子注量率与燃耗循环、燃耗深度的对应关系； 步骤d：计算得到与所述辐照孔道中的热中子注量率之差不超过给定阈值的区域作为探测器安装区域； 步骤e：提供钒自给能探测器，将所述钒自给能探测器安装在所述探测器安装区域中，将活化箔安装在所述辐照孔道中，调整所述研究堆的控制棒的棒位，利用所述活化箔测量得到所述控制棒的棒位与所述辐照孔道中热中子注量率的对应关系，进而得到所述钒自给能探测器的输出信号强度与所述辐照孔道中热中子注量率的刻度系数，完成所述钒自给能探测器的标定； 步骤f：进行单晶硅辐照处理并利用所述钒自给能探测器监测所述单晶硅的热中子注量率。

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