中国科学院上海技术物理研究所李冠海获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756185.9，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器是由李冠海;宋宇鑫;郁菲茏;陈金;李鑫设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器，包括栅极、绝缘层、P型层、N型层、保护层、源极引出端和漏极引出端。P型层、N型层、保护层依次按照从下到上的顺序机械剥离干法转移在栅极和绝缘层上，P型层为宽带隙二维材料，N型层为窄带隙二维材料；光子从顶部入射，P型层上的阳极引出端接电源的正极，N型层上的漏极引出端接电源的负极，光子被PN结空间电荷区所吸收。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流和亚阈值摆幅，提高整流比和开关比。
本发明授权一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器，包括栅极1、绝缘层2、P型层3、N型层4、保护层5、阳极引出端6、阴极引出端7，其特征在于： 在栅极1和绝缘层2上设置阳极引出端6和阴极引出端7作为底电极，在绝缘层2上依照从下到上的顺序依次设置P型层3、N型层4、保护层5；P型层3是二硒化钨或二硫化钼制成的宽带隙二维材料，N型层4是二硒化钯或二硒化铂制成的窄带隙二维材料； 通过使用栅极调控下层宽带隙的P型二维材料的费米能级，同时通过偏置电压调控源漏两端宽带隙的P型和窄带隙的N型二维材料的费米能级，共同调控源漏两端宽带隙的P型和窄带隙的N型二维材料的能带匹配，可以从Ⅱ类异质结切换到Ⅲ类异质结，形成带间量子隧穿通道，从超低暗电流切换至超高暗电流，形成超大整流比和低的亚阈值摆幅；在光照情况下，光子会触发异质结的光致隧穿机制，产生大的光电流，形成优异的光开关比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海技术物理研究所，其通讯地址为：200083 上海市虹口区玉田路500号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励