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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所申请的专利一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119750487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411913778.1，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件及加工方法是由王健;岳亚洲;李文宏;熊恒设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件及加工方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子机械技术领域，尤其涉及一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件及加工方法。MEMS器件包括：盖板333、硅结构层201和硅通孔片111，三者通过键合组成，通过在硅结构层201的薄可动结构24和小结构间隙23区域背面光刻和刻蚀的方式，制作第二腔28改变可动结构厚度，在硅结构层201无图形面光刻刻蚀同时实现大结构间隙27和小结构间隙23，有效消除lag效应影响。通过改变局域结构层厚度同时解决超厚结构加工过程中刻蚀深宽比提升困难，结构间隙受限于刻蚀深宽比的问题，进一步降低超厚结构中最小结构间隙的尺寸，显著提高电容式MEMS器件驱动和检测能力。

本发明授权一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种超厚结构和超小结构间隙的MEMS器件，其特征在于，超厚结构的厚度范围为150微米至500微米；超小结构的间隙范围3微米至15微米，包括：盖板、硅结构层和硅通孔片，三者通过键合组成，硅通孔片包括：第一腔、第一支撑结构、硅通孔、氧化层和导电金属，其中，第一腔为位于片内的方形浅腔，第一腔侧壁为第一支撑结构，硅通孔包括干法刻蚀孔和与干法刻蚀孔位置对应的湿法刻蚀形成的梯形孔，干法刻蚀孔为圆形、方形或多边形，导电金属位于硅通孔内壁面；所述硅结构层包括：MEMS器件的薄可动结构、厚可动结构、第一锚点、填充结构锚点、电极和第一密封环，小结构间隙为薄可动结构和电极之间的间隙；厚可动结构和第一锚点之间间隙、厚可动结构和填充结构锚点之间间隙以及厚可动结构之间间隙均为大结构间隙；片内薄可动结构和小结构间隙背面区域有第二腔，第二腔为干法刻蚀制作的方形浅腔或湿法刻蚀制作的梯形浅腔，硅结构层和硅通孔片通过硅硅键合方式连接， 第一锚点位于片内和硅通孔片的支撑结构对应，第一密封环位于片外围也与硅通孔片的支撑结构对应，硅结构层电极与硅通孔片上的硅通孔的干法刻蚀孔对应，信号直接通过硅通孔片上的硅通孔导电金属引出；所述盖板所用SOI片包括与硅结构层键合的顶层硅、中间缓冲层和支撑层，所述盖板顶层硅结构包括和硅结构层第一密封环位置对应的第二密封环，和硅结构层的第一锚点对应的第二锚点，盖板和硅结构层通过中间金属层键合方式密封。

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