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龙图腾网获悉杭州华航新材料科技有限公司申请的专利一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119748671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886440.1，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法是由王为民;崔毅设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法，包括：将高纯的硅粉和碳粉按预设比例混合，合成碳化硅颗粒；进行晶体生长得到碳化硅晶锭；对碳化硅晶锭切割、研磨和抛光得到碳化硅单晶衬底；对碳化硅单晶衬底进行高温退火、除杂处理得到高纯半绝缘碳化硅衬底。其中，在切割过程中，包括：对碳化硅晶锭进行预退火处理后进行切割；采集切割过程中接触压力数据、温度数据、切割速度数据、冷却液流量和完整度数据，进而确定最佳接触压力和最佳切割温度，从而确定对切割参数的调整方式。本发明有效提升切割质量，缩短切割时间。

本发明授权一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半绝缘碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，将高纯的硅粉和碳粉按预设比例混合，合成碳化硅颗粒； 步骤S2，将所述碳化硅颗粒装填至坩埚中，移至晶体生长装置内进行晶体生长，得到碳化硅晶锭； 步骤S3，对所述碳化硅晶锭进行切割、研磨和抛光得到碳化硅单晶衬底； 步骤S4，对所述碳化硅单晶衬底进行高温退火、除杂处理得到高纯半绝缘碳化硅衬底； 其中，在切割过程中，包括： 步骤S31，对所述碳化硅晶锭进行预退火处理，对碳化硅晶锭进行切割； 步骤S32，采集切割过程中的切割工具与碳化硅晶锭之间的接触压力数据、切割区域的温度数据、切割速度数据、冷却液流量和切割后若干晶片的完整度数据，所述完整度数据包括裂纹数量以及切口宽度； 步骤S33，根据所述接触压力数据和完整度数据确定最佳接触压力，包括根据所述裂纹数量和所述接触压力数据确定裂纹数量和接触压力之间的压力-裂纹函数； 根据所述切口宽度和所述接触压力数据确定切口宽度和接触压力之间的压力-切口函数； 根据第一权重、所述压力-裂纹函数、第二权重、所述压力-切口函数构建第一综合优化目标函数，来确定最佳接触压力； 根据所述温度数据和完整度数据确定最佳切割温度，包括根据所述裂纹数量和所述温度数据确定裂纹数量和温度数据之间的温度-裂纹函数； 根据所述切口宽度和所述温度数据确定切口宽度和温度数据之间的温度-切口函数； 根据第三权重、所述温度-裂纹函数、第四权重、所述温度-切口函数构建第二综合优化目标函数，来确定所述最佳切割温度； 步骤S34，根据所述最佳接触压力以及最佳切割温度确定对切割参数的调整方式，其中，若所述压力数据大于或小于所述最佳接触压力，则调整切割工具与碳化硅晶锭之间的切割速度，若所述温度数据大于或小于所述最佳切割温度，则调整切割过程中的冷却液流量； 步骤S35，根据调整后的切割参数对碳化硅晶锭进行切割。

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