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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种自清洁-辐射制冷-除冰一体化功能涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119735384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411935262.7，技术领域涉及：C03C17/42；该发明授权一种自清洁-辐射制冷-除冰一体化功能涂层及其制备方法和应用是由汪新智;段依彤;郭宝;胡宁盟;韩骁;石龙杰;吴晓宏;李杨;卢松涛;洪杨设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自清洁-辐射制冷-除冰一体化功能涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自清洁‑辐射制冷‑除冰一体化功能涂层及其制备方法和应用，属于功能性防护涂层及其制备技术领域。本发明解决了现有太阳能电池板应用过程中存在的表面易被沙尘与冰雪覆盖，以及夏季电池板过热的问题。本发明首先采用磁控溅射技术制备ITO加热涂层，并使用等离子体对ITO涂层表面进行预处理，引入更多的极性基团后，在其表面旋涂PDMS‑SiO22修饰的溶胶，经固化处理后，使得ITO加热涂层具有疏水性和辐射制冷性质，为了进一步降低涂层表面能，使用全氟硅烷的正己烷溶液降低涂层表面能，获得了一种具有高附着力和高透明度的自清洁辐射制冷除冰一体化涂层。本发明制备的涂层广泛应用于太阳能发电等技术领域。

本发明授权一种自清洁-辐射制冷-除冰一体化功能涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种自清洁-辐射制冷-除冰一体化功能涂层的制备方法，其特征在于，包括： 1采用磁控溅射法制备ITO薄膜，退火处理后备用； 所述1中磁控溅射法制备ITO薄膜的工艺参数为：靶材由In2O3和SnO2按照原子百分比为90:10混合而成，镀膜温度为280~600℃，氩气流量为50sccm，氧气流量为0~0.3sccm，靶基距为10~20cm，溅射功率为23~38W；退火处理温度为300~400℃，时间为30min； 2采用等离子处理方式对退火后的ITO薄膜的表面进行预处理； 3采用溶胶凝胶法制备PDMS-SiO2溶胶； 4将PDMS-SiO2溶胶旋涂在经过预处理的ITO薄膜上，空气气氛下热处理，然后使用低表面能改性剂溶液浸泡改性，加热固化，得到涂层； 所述4中低表面能改性剂为1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷、甲氧基三甲基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、六甲基二硅胺烷或十八烷基三乙基硅烷。

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