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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411731240.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池是由邓加晓设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池，涉及太阳能电池技术领域，其方法包括：对硅片进行双面抛光、背面硼扩散、去除正面BSG层、正面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂的poly硅层、正面沉积掩膜SiOxx层、激光制绒、腐蚀去除损伤、去除多余层、背面沉积膜层以及印刷电极与烧结等步骤。本发明通过在抛光面上制备poly‑SiSiO22钝化接触结构，并在poly‑SiSiO22钝化接触结构的表面沉积掩膜SiOx层，以及在钝化接触结构基础上激光制备陷光结构，有效解决了TOPCON底电池前表面钝化性能差、寄生吸收及陷光结构与钝化和钙钛矿叠加的矛盾等问题，提高了电池性能，在钙钛矿叠层太阳能电池技术领域具有重要意义。

本发明授权钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：对N型硅片进行双面抛光； S2：对硅片的背面进行硼扩散，形成硼掺杂单晶硅层； S3：去除硅片正面的BSG层； S4：在硅片正面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂的poly硅层； S5：去除硅片正面的PSG层； S6：在硅片的正面沉积掩膜SiOx层； S7：在掩膜SiOx层的表面进行激光制绒； S8：去除激光后残留的掩膜SiOx层和磷掺杂的poly硅层表面的熔融层和损伤，以及背面的PSG层； S9：去除硅片背面绕镀的N-poly以及BSG层； S10：背面沉积钝化及减反射膜； S11：印刷背面电极，并烧结； 其中，所述S7中激光制绒形成凹陷结构的深度大于所述S6中掩膜SiOx层的厚度，小于所述S6中掩膜SiOx层与所述S4中磷掺杂的poly硅层的厚度之和，在所述磷掺杂的poly硅层上出现陷光结构。

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