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龙图腾网获悉南湖脑机交叉研究院申请的专利一种用于脑深部刺激的超声-脑电多功能电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119405322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411609661.4，技术领域涉及：A61B5/293；该发明授权一种用于脑深部刺激的超声-脑电多功能电极是由李文彪;黄玉辉;吴勇军;洪子健设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于脑深部刺激的超声-脑电多功能电极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于脑深部刺激的超声‑脑电多功能电极，所述多功能电极从内到外依次包括基体微管、用于脑深部超声刺激的PMUT电极和用于脑电信号检测的SEEG电极。本发明提供的用于脑深部刺激的超声‑脑电多功能电极，具有定点超声神经刺激和原位脑电信号检测的功能，为未来闭环神经刺激提供了有力支撑，同时具有制备工艺简单，制造成本低等优点。

本发明授权一种用于脑深部刺激的超声-脑电多功能电极在权利要求书中公布了：1.一种用于脑深部刺激的超声-脑电多功能电极，其特征在于，所述多功能电极从内到外依次包括基体微管、用于脑深部超声刺激的PMUT电极和用于脑电信号检测的SEEG电极； 所述基体微管的直径为0.5-2mm，所述基体微管内径为200-1500um； 所述PMUT电极为压电式微机械超声换能器，从上至下依次包括上电极、压电膜、下电极和具有空腔结构的柔性基板； 所述PMUT电极的宽度为1-1.5mm，厚度为50-500um；所述上电极和下电极为圆形电极，直径为100-1000um；所述压电膜的厚度为5-500um；所述空腔结构的直径在200-1500um； 所述SEEG电极中电极触点的高度在1000-1500um，所述SEEG电极中电极触点之间的距离在0.5–5mm，所述SEEG电极中电极触点的数量为4-20个； 所述多功能电极的制备方法包括： 1制备预设长度的基体微管； 2制备微机械超声换能器刺激电极：首先在PVDF薄膜上镀银形成电极，之后使用激光切割机在Kapton胶带上形成空腔，最后依次叠加PVDF压电层、Kapton空腔层形成PMUT刺激电极； 3将柔性PMUT刺激电极卷曲在基体微管上； 4将漆包线焊接在铂铱圆环电极上； 5将铂铱电极环固定在缠绕有PMUT电极的基体微管上，导线从基体微管内部连接到后端电路上，形成SEEG电极； 6将基体微管以中部悬空的姿态放入化学气相沉积系统中沉积parylene薄膜，形成管状电极主体外侧的保护层； 7暴露出铂铱电极的触点，形成整体的超声刺激-脑电多功能DBS电极。

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