上海陛通半导体能源科技股份有限公司刘祥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请的专利一种低成本的半导体制造设备及工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411524327.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种低成本的半导体制造设备及工艺是由刘祥;宋维聪设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本的半导体制造设备及工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种低成本的半导体制造设备及工艺。设备包括：工艺腔体、排气管路、真空泵、用于供应第一保护气体的第一保护气体供应装置、用于供应第二保护气体的第二保护气体供应装置以及控制器；所述排气管路的两端分别与工艺腔体及真空泵连接；所述控制器控制第一保护气体和第二保护气体的供应，以在排气管路中有气体排放时，向真空泵中通入不与工艺气体反应的第一保护气体，在排气管路中未有工艺气体排放时，通过一直线型进气通道和一螺旋进气通道分别向真空泵中通入成本低于第一保护气体的第二保护气体。本发明有助于在减少高成本的第一保护气体的用量的同时提高对真空泵的清洁能力，延长真空泵的使用寿命，降低设备使用成本，提高产出率。
本发明授权一种低成本的半导体制造设备及工艺在权利要求书中公布了：1.一种低成本的半导体制造设备，其特征在于，包括：工艺腔体、排气管路、真空泵、用于供应第一保护气体的第一保护气体供应装置、用于供应第二保护气体的第二保护气体供应装置，以及控制器；所述排气管路的两端分别与工艺腔体及真空泵连接；所述控制器控制第一保护气体和第二保护气体的供应，以在排气管路中有工艺气体排放时，向真空泵中通入不与工艺气体反应的第一保护气体，在排气管路中未有工艺气体排放时，通过一直线型进气通道和一螺旋进气通道向真空泵中分别通入成本低于第一保护气体的第二保护气体；所述直线型进气通道的进气口位于真空泵的中部，第二保护气体通过该通道进入真空泵中，以对真空泵的转子进行直接吹扫，所述螺旋进气通道的进气口位于所述直线型进气通道的进气口的一侧，第二保护气体通过该通道后以螺旋进气方式进入真空泵中并形成螺旋气流，螺旋气流在流动过程中与真空泵内部碰撞而沿壁面扩散，且扩散的气流与直线进气的气流发生交汇碰撞。
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