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龙图腾网获悉扬州新瑞光电科技有限公司申请的专利一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411436235.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法是由蔡鹏;何其金;宋剑;梁皓;王白磊;王子坤;陆静敏;余帆;周超设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法，包括：提供一基底；在基底的第一表面形成凹槽区，相邻凹槽区为凸起区；在基底的第一表面制备氧化层和本征硅层；在凹槽区制备隔离凝胶；在凸起区的本征硅层的表面进行离子注入，形成第一掺杂源多晶硅层；在凸起区的第一掺杂源多晶硅层的表面制备第一掩膜层；去除凹槽区内的隔离凝胶，在凹槽区进行离子注入，形成第二掺杂源多晶硅层；在第二掺杂源多晶硅层的表面制备第二掩膜层；在凹槽区与凸起区之间开槽形成隔离区；去除第一掩膜层和第二掩膜层；在基底的第一表面和第二表面依次沉积氧化铝薄膜和氮化硅薄膜；在凸起区制备第一电极，在凹槽区制备第二电极。本发明能够简化半导体器件制备过程。

本发明授权一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背部接触光电转化半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底； 在所述基底的第一表面开槽，形成多个间隔排布的凹槽区，相邻所述凹槽区之间形成凸起区； 在所述基底的第一表面制备氧化层，在所述氧化层的表面制备本征硅层； 在位于所述凹槽区的所述本征硅层的表面制备隔离凝胶； 在位于所述凸起区的所述本征硅层的表面进行离子注入，形成第一掺杂源多晶硅层；在位于所述凸起区的所述第一掺杂源多晶硅层的表面制备第一掩膜层； 去除所述凹槽区内的所述隔离凝胶，在所述凹槽区暴露出的所述本征硅层的表面进行离子注入，形成第二掺杂源多晶硅层；在所述第二掺杂源多晶硅层的表面制备第二掩膜层； 在所述凹槽区与所述凸起区之间开槽，形成隔离区，所述隔离区将位于所述凹槽区的膜层与位于所述凸起区的膜层隔离开； 去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层； 在所述凹槽区和所述凸起区，以及所述基底的第一表面和第二表面依次沉积氧化铝薄膜和氮化硅薄膜；其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置； 在所述凸起区制备第一电极，在所述凹槽区制备第二电极。

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