中国科学院理化技术研究所唐明生获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利电场作用下的半导体制冷系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119196970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411683113.6，技术领域涉及：F25B21/02；该发明授权电场作用下的半导体制冷系统是由唐明生;俞璇;李佩儒;邹慧明设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本电场作用下的半导体制冷系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制冷技术领域，提供一种电场作用下的半导体制冷系统，包括半导体制冷片；第一电源，与所述半导体制冷片连接，且所述第一电源为直流电源；电场发生装置，用于产生电场，且所述电场内设置所述半导体制冷片。本发明提供的电场作用下的半导体制冷系统，通过半导体制冷片与第一电源连接，基于帕尔贴效应，在热端和冷端分别出现吸热和放热现象，实现制冷目的；且当半导体制冷片处于电场内时，基于电卡和半导体热离子制冷效应，外加电场能够有效降低半导体制冷温度，增强制冷效能，从而实现更佳的冷却效果。
本发明授权电场作用下的半导体制冷系统在权利要求书中公布了：1.一种电场作用下的半导体制冷系统，其特征在于，包括： 半导体制冷片1； 第一电源2，与所述半导体制冷片1连接，且所述第一电源2为直流电源； 电场发生装置3，用于产生电场，且所述电场内设置所述半导体制冷片1； 所述电场发生装置3包括： 热端换热器31，与所述半导体制冷片1的热端连接； 冷端换热器32，与所述半导体制冷片1的冷端连接； 第二电源33，与所述热端换热器31和所述冷端换热器32均连接； 所述第二电源33为直流电源或交流电源。
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