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龙图腾网获悉中国航发北京航空材料研究院申请的专利涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118957513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410950414.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法是由罗炳威;田青云;马可欣;罗飞;王素杰;周海涛;胡春文设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法，包括将所述涡轮叶片试验件置于真空环境中，并对所述试验件的叶背区域进行离子刻蚀；离子刻蚀后保持真空环境，并对所述叶背区域进行第一层的磁控溅射沉积；磁控溅射的靶材材质为氧化铝；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；分五次进行溅射及退火处理，逐次形成第二层到第六层的氧化铝，从大气环境转移到真空环境中，并进行第七层的磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境。本发明过调整氧化铝薄膜沉积工艺，在无金属粘接层的条件下，在涡轮叶片表面制备与金属基底结合力强、尺寸薄、绝缘性能优异的多界面氧化铝绝缘层。

本发明授权涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法在权利要求书中公布了：1.一种涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、将所述涡轮叶片试验件置于真空环境中，并对所述试验件的叶背区域进行离子刻蚀； 步骤2、离子刻蚀后保持真空环境，并对所述叶背区域进行第一层的磁控溅射沉积；磁控溅射的靶材材质为氧化铝；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到800℃～1000℃，保温至少1小时；保温后的第一层氧化铝厚度不超过300nm； 步骤3、分五次进行溅射及退火处理，逐次形成第二层到第六层的氧化铝，每次处理过程均为：从大气环境转移到真空环境中，并进行磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到800℃～1000℃，保温至少1h；保温后每层氧化铝厚度不超过300nm；每次处理过程中的溅射工艺存在区别； 步骤4、从大气环境转移到真空环境中，并进行第七层的磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到700℃～950℃，保温至少0.5h；保温后的第七层氧化铝厚度不超过50nm； 第一层的沉积温度为选自450℃～500℃范围的恒温沉积； 第二、四、六层的沉积温度为从200℃到450℃的变温沉积，沉积温度由200℃上升为450℃，升温速率50℃h； 第三、五、七层的沉积温度为选自200℃～250℃范围的恒温沉积； 第一层沉积对应的真空环境的真空压力不小于1.0×10-4Pa，第二层至第七层沉积对应的真空环境的真空压力不小于5.0×10-3Pa； 各层的磁控溅射中溅射气压均满足0.2Pa～0.4Pa； 第一层溅射沉积施加850V～1000V偏压，第二层至第七层沉积无偏压； 第一至第六层沉积时间为5h，第七层沉积时间为0.5h； 七个层的总沉积厚度不超过1.8µm。

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