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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利一种激光辅助CVD制备RE-Si-O多孔薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118326367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410491852.9，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种激光辅助CVD制备RE-Si-O多孔薄膜的方法是由赵培;张琼设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光辅助CVD制备RE-Si-O多孔薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，具体涉及一种激光辅助CVD制备RE‑Si‑O多孔薄膜的方法。该方法利用激光增强化学气相沉积法制备出多孔的RE‑Si‑O薄膜，利用具有铁磁性的RE元素的引入，以及CVD反应腔内气体分子的运动碰撞，形成质地疏松的RE‑Si‑O共晶结构多孔薄膜。与传统制备多孔陶瓷的方法相比，该方法不仅可以降低沉积温度，提高沉积速率，改善杂相和缺陷获得高均匀性的薄膜，并且可以通过调节压强等参数，改变RE‑Si‑O多孔薄膜的孔隙率，有效提升RE‑Si‑O多孔薄膜不同等级的渗透性、抗热、抗侵蚀性能。

本发明授权一种激光辅助CVD制备RE-Si-O多孔薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种激光辅助化学气相沉积法制备RE-Si-O多孔薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S100：用载流气将RE反应前驱体蒸气、Si反应前驱体蒸气以及反应气送入反应腔体内；具体为：将RE的固态前驱体粉末溶于有机溶剂中，得到RE前驱体的混合溶液；分别对RE前驱体的混合溶液和有机硅原料加热得到RE反应前驱体蒸气和Si反应前驱体蒸气；所述RE的固态前驱体粉末为RE与β-二酮基团的螯合物，所述β-二酮基团为dpm和或acac；所述反应腔体的压强为20-90kpa； 步骤S200：在加热作用下，所述反应前驱体蒸气中RE和Si的前驱体蒸气分子解离变成RE、Si活性离子或离子团，通过扩散到达衬底表面；所述衬底与RE-Si-O多孔薄膜材料具有相匹配的晶格取向和热膨胀系数； 步骤S300：RE、Si活性离子或离子团在激光照射下获得能量，以提高反应活性，与所述反应气反应形成RE-Si-O共晶结构，生成的RE-Si-O固态产物沉积在所述衬底表面，晶核持续长大聚集形成RE-Si-O多孔薄膜。

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