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龙图腾网获悉中国航发北京航空材料研究院申请的专利航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117947391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311611432.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法是由罗炳威;马可欣;罗飞;周海涛;王素杰;胡春文设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法，在金属工件表面制备铂钨热电偶的方法，所制备的铂钨薄膜热电偶仅通过氧化铝绝缘层与金属工件连接，并在铂钨薄膜热电偶表面沉积氧化铝保护层。其中钨薄膜热电臂与铂薄膜热电臂均有三层结构组成，从下到上依次为晶态薄膜、非晶态薄膜和晶态薄膜，其中钨晶态薄膜呈现111晶面择优取向，铂晶态薄膜呈现001晶面择优取向。对航空发动机热端部件在高温、高压等恶劣工作环境中实现高精度动态测温属于国际难题。而薄膜热电偶可以直接沉积在被测元器件表面，能够实时、准确的获取被测位置点及环境的温度。

本发明授权航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种航空发动机测温用单质型铂钨薄膜热电偶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、氧化铝绝缘薄膜制备 通过磁控溅射工艺在金属工件表面沉积氧化铝薄膜，在沉积之前对金属工件表面进行抛光，金属工件表面起伏不大于200nm，呈镜面； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10-3Pa，充入氩气后溅射气压为0.2Pa~0.6Pa，基底加热温度为100~450℃，在溅射过程中沉积温度采用周期变化；溅射靶材为氧化铝靶材；对氧化铝靶材施加的射频功率为180W~360W，施加的偏压功率为900V~1100V；溅射后金属工件自然冷却至室温； 每个周期中：沉积温度由100℃上升为450℃，升温速率6℃h，待升温至450℃时保温30min，随后采取自然降温的使得沉积温度降低至100℃； 步骤2、钨结晶取向薄膜制备 在金属工件表面加装第一掩膜，且在掩膜上形成开口，使得开口形状对应钨热电臂区域；通过磁控溅射工艺在开口内沉积钨结晶取向薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为1.0Pa~2.0Pa，基底加热温度为450℃~550℃；溅射靶材为钨靶材；对钨靶材施加的直流功率为20W~50W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到钨结晶取向薄膜； 步骤3、钨非晶薄膜制备 通过磁控溅射工艺在开口内的钨结晶取向薄膜上沉积钨非晶薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为0.2Pa~0.6Pa，基底加热温度为50℃~100℃；溅射靶材不变；对钨靶材施加的直流功率为100W~200W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到钨非晶薄膜； 步骤4、钨结晶取向薄膜制备 通过磁控溅射工艺在开口内的钨非晶薄膜上沉积钨结晶取向薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为1.0Pa~2.0Pa，基底加热温度为450℃~550℃；溅射靶材为钨靶材；对钨靶材施加的直流功率为20W~50W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到钨结晶取向薄膜，并形成钨薄膜热电臂； 步骤5、铂结晶取向薄膜制备 在金属工件表面将第一掩膜替换为第二掩膜，且在第二掩膜上形成开口，使得开口形状对应铂热电臂区域；通过磁控溅射工艺在开口内沉积铂结晶取向薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为1.0Pa~2.0Pa，基底加热温度为400℃~500℃；溅射靶材改为铂靶材；对铂靶材施加的直流功率为100W~200W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到铂结晶取向薄膜； 步骤6、铂非晶薄膜制备 通过磁控溅射工艺在开口内的铂结晶取向薄膜上沉积铂非晶薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为2.0Pa~6.0Pa，基底加热温度为25℃~75℃；溅射靶材改为铂靶材；对铂靶材施加的直流功率为250W~350W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到铂非晶薄膜； 步骤7、铂结晶取向薄膜制备 通过磁控溅射工艺在开口内的铂非晶薄膜上沉积铂结晶取向薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10－4Pa，充入氩气后溅射气压为1.0Pa~2.0Pa，基底加热温度为400℃~500℃；溅射靶材改为铂靶材；对铂靶材施加的直流功率为100W~200W，溅射后金属工件自然冷却至室温，得到铂结晶取向薄膜，并形成铂薄膜热电臂； 步骤8、保护薄膜制备 取下第二掩膜，通过磁控溅射工艺在沉积有两个薄膜热电臂的金属工件表面沉积保护薄膜； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于1.0×10-3Pa，充入氩气后溅射气压为0.2Pa~0.6Pa，基底加热温度为350~450℃，在溅射过程中沉积温度采用周期变化；溅射靶材为氧化铝，对氧化铝靶材施加的射频功率为150W~250W，施加的偏压功率为900V~1100V；溅射后金属工件自然冷却至室温，完成金属工件表面保护薄膜沉积； 每个周期中：沉积温度由350℃上升为450℃，升温速率6℃h，待升温至450℃时保温30min，随后采取自然降温的使得沉积温度降低至350℃。

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