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龙图腾网获悉中国航发北京航空材料研究院申请的专利航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117684138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311678783.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法是由王素杰;罗炳威;罗飞;周海涛;马可欣;胡春文设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法，构成薄膜热电偶的两个热电臂是由ITO:X薄膜和In2O3薄膜组成，其中ITO:X薄膜以下到上是由ITO:C、ITO:C:N、ITO:C:N:Ni三层薄膜组成，薄膜采用磁控溅射的方法制备。具体的制备方法如下：具体的步骤包括：首先对工件进行预处理，其次在经过预处理的工件上采用磁控溅射共溅射的沉积工艺沉积薄膜，先沉积热电臂In2O3薄膜，然后沉三层不同的ITO:X薄膜组成的热电臂，逐层沉积；第一层沉积ITO:C薄膜，厚度不大于1μm；第二层沉积ITO:C:N薄膜，厚度不大于800nm；第三层沉积ITO:C:N:Ni薄膜，厚度不大于600nm；而且三层薄膜均呈现晶面222择优生长。通过此方法制备的ITO:XIn2O3薄膜热电偶能够有效提高薄膜热电偶的热电性能和高温稳定性，进而实现薄膜热电偶在高温部件表面瞬态温度的准确测量。

本发明授权航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法在权利要求书中公布了：1.航空发动机测温用陶瓷氧化物薄膜热电偶的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤： 步骤1、试验件预处理 当试验件为金属材质时，通过磁控溅射工艺在试验件表面沉积出绝缘层，绝缘层厚度1.5μm～2.5μm；当试验件为陶瓷材质时，对试验件表面进行清洁； 步骤2、In2O3薄膜热电臂制备 在试验件表面加装第一掩膜，且在掩膜上形成开口，使得开口形状In2O3热电臂区域；通过磁控溅射工艺在开口内沉积In2O3薄膜，薄膜厚度为2μm以下； 磁控溅射参数为：真空室的初始真空压力不大于4.0×10-4Pa，充入氩气后溅射气压为0.8Pa~1.5Pa，加热温度为400~500℃，溅射靶材为In2O3靶材，直流功率为80W~150W，溅射后金属工件自然冷却至室温； 步骤3、X-ITO薄膜热电臂制备 在试验件表面将第一掩膜替换为第二掩膜，且在第二掩膜上形成开口，使得开口形状对应X-ITO热电臂区域；通过磁控溅射工艺在开口内沉积X-ITO薄膜；ITO是氧化铟锡，X代表掺杂元素；磁控溅射工艺中包括ITO靶、碳靶和镍靶；磁控溅射工艺分为连续的三个阶段； 第一阶段磁控溅射参数为：溅射靶材为ITO靶材和碳靶材同时工作，真空室的初始真空压力不大于5.0×10-3Pa，充入氩气后溅射气压为0.2Pa~0.6Pa，加热温度为300~400℃，ITO靶材直流功率为50～150W，碳靶材直流功率为50W以下；第一阶段沉积厚度为1.0μm以下，达到厚度后关闭靶材，控制温度降低到200～300℃； 第二阶段磁控溅射参数为：在保持充入氩气的同时通入氮气，氮气与氩气的流速比为1:1～1:15；通入氮气后开启ITO靶材和碳靶材，真空室的初始真空压力保持不变，溅射气压保持不变，加热温度保持在200～300℃，ITO靶材直流功率为50～150W，碳靶材直流功率为50W以下；第二阶段沉积厚度为0.8μm以下，达到厚度后关闭靶材，控制温度降低到100～200℃； 第三阶段磁控溅射参数为：充入氩气和氮气流速不变；开启ITO靶材、碳靶材和镍靶，真空室的初始真空压力保持不变，加热温度保持在100～200℃，ITO靶材直流功率为50～150W，碳靶材直流功率为50W以下，镍靶材直流功率为50W以下；第三阶段沉积厚度为0.6μm以下，达到厚度后，磁控溅射工艺结束，自然冷却至室温； 步骤4、退火处理 对试验件进行退火处理，退火温度为550～700℃，退火时间不低于60min。

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