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龙图腾网获悉无锡弘元半导体材料科技有限公司申请的专利一种SiC粉料高效提纯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117361533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311587194.5，技术领域涉及：C01B32/956；该发明授权一种SiC粉料高效提纯的方法是由杨东风;张义;孙晓晓设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC粉料高效提纯的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC粉料高效提纯的方法，本发明涉及SiC粉料的提纯领域，包括以下操作步骤：S1：准备以下提纯用的材料和设备；S2：碳化硅粉料的称重和放置；S3：石墨硬毡的铺设；S4：测温；S5：碳化硅粉料的纯化处理；S7：碳化硅粉料的称重和对其进行质量损失的检测；S8：碳化硅粉料进行GDMS表征。本发明所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，本方法工艺简单，碳化硅粉料纯化后的粉料损失量可通过称量并计算而得，碳化硅粉料纯化过后通过GDMS检测直观展示杂质去除效果，同时此方法加热效率高，保温效果好，测温操作便捷，只需改变加热温度与加热时间，工艺简单，纯化效果由GDMS展示，纯化效果直观。

本发明授权一种SiC粉料高效提纯的方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：包括以下操作方法： S1：准备以下提纯用的材料和设备：所述材料包括温度计01、线圈02、温度测量窗口03、石英管04、坩埚05、石墨硬毡06、碳化硅粉料07、底部支撑08； S2：取出坩埚05，称量碳化硅粉料07，将碳化硅粉料07均匀地铺设在坩埚05的内腔中； S3：将装好碳化硅粉料07的坩埚05放入石英管04中，放置时坩埚05的四周放入石墨硬毡06并在坩埚05的底部放入底部支撑08； S4：温度计01通过坩埚05上方的中央保留的温度测量窗口03来测量温度； S5：将碳化硅粉料07加热到1000℃，并在真空状态下持续3小时； S6：S5步骤的保温结束时，通氩气，使坩埚05的内部气压保持在30-50Kpa，然后将坩埚05内部的温度提高到1500℃，持续5小时； S7：S6步骤结束后，将坩埚05内部的温度升至2000-2200℃，持续15-30小时； S8：在最后阶段，热保存阶段之后，温度逐渐降低到室温； S9：取出纯化后的碳化硅粉料07，称重，观察外形，对其进行质量损失的检测； S10：取纯化后的碳化硅粉料07进行GDMS表征，并对纯化后的碳化硅粉料07进行铁、铝、铍、钛、钠、钴含量的检测； 所述步骤S1中，底部支撑08固定连接在坩埚05的底部，所述温度测量窗口03固定连接在坩埚05的顶部，所述温度测量窗口03的尺寸和温度计01的尺寸相适配，所述坩埚05放置在石英管04的内腔中，所述线圈02缠绕在石英管04的外壁，所述石墨硬毡06放置在石英管04的内腔中，所述石墨硬毡06包裹在坩埚05的外壁； 所述步骤S1中，碳化硅粉料07的质量为1000g。

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