电子科技大学蒋洪川获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311291701.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法是由蒋洪川;董玲;赵晓辉;张万里设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法在说明书摘要公布了：本发明属于温度测量技术领域，尤其是高温温度测量，具体提供一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法，用以提高温度判读精度。本发明采用中频反应磁控溅射法实现C轴择优取向AlN薄膜的制备，并在溅射过程中通过活性气体掺杂的方式在C轴择优取向AlN薄膜中构造均匀可控的晶格缺陷，本发明提供的晶格缺陷构造方法工艺简单、稳定性和重复性良好、无需中子辐照、成本低廉。将此具备均匀可控晶格缺陷的C轴择优取向AlN薄膜作为温度敏感材料，能够实现高温温度测量，并且提高温度判读精度。
本发明授权一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高温温度测量的C轴择优取向AlN薄膜缺陷构造方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用纯度大于99.99wt%的Al靶作为溅射靶材，采用氮气与活性气体的混合气作为反应气体，其中，活性气体的体积分数为1%~4%，活性气体为氢气或甲烷； 设置参数：背底真空度为5~8×10-4Pa，溅射功率为1000~3000W，溅射气压为0.4~2.0Pa，沉积温度为常温~300℃； 通过中频反应磁控溅射法在衬底上沉积生长C轴择优取向AlN薄膜，生长完成得C轴择优取向AlN薄膜具备晶体缺陷，晶体缺陷均匀可控且随温度修复，C轴择优取向AlN薄膜的晶格缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
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