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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利量子芯片版图的生成方法、装置、装置优化方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117151233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311108507.4，技术领域涉及：G06N10/20；该发明授权量子芯片版图的生成方法、装置、装置优化方法及设备是由于晓艳;王辉;李彦祯;刘强;李发春设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子芯片版图的生成方法、装置、装置优化方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及量子芯片技术领域，公开了一种量子芯片版图的生成方法、装置、装置优化方法及设备，该方法包括：基于理论电容值或者比特电容的面积，确定比特电容的单臂长度；利用单臂长度和第一绘制模板，生成比特电容的版图；基于理论谐振频率，确定谐振腔的长度；利用谐振腔的长度和第二绘制模块，生成谐振腔的版图；利用布局模板合并比特电容的版图和谐振腔的版图，以形成量子芯片版图，布局模板包括第一位置信息和第二位置信息，第一位置信息为目标器件的版图的位置信息，第二位置信息为比特电容的版图和谐振腔的版图之间的相对位置信息，目标器件为比特电容或者谐振腔。本发明能够缩减量子芯片版图的设计工作，提升量子芯片的生成效率。

本发明授权量子芯片版图的生成方法、装置、装置优化方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种量子芯片版图的生成方法，其特征在于，所述方法包括： 基于理论电容值或者比特电容的面积，确定所述比特电容的单臂长度； 利用所述单臂长度和第一绘制模板，生成所述比特电容的版图，所述第一绘制模板为所述比特电容的绘制模板； 基于理论谐振频率，确定谐振腔的长度； 利用所述谐振腔的长度和第二绘制模板，生成所述谐振腔的版图，所述第二绘制模板为所述谐振腔的绘制模板； 利用布局模板合并所述比特电容的版图和所述谐振腔的版图，以形成量子芯片版图，所述布局模板包括第一位置信息和第二位置信息，所述第一位置信息为目标器件的版图的位置信息，所述第二位置信息为所述比特电容的版图和所述谐振腔的版图之间的相对位置信息，所述目标器件为所述比特电容或者所述谐振腔； 基于所述比特电容的版图，确定所述比特电容的几何参数，所述几何参数包括所述比特电容的单臂长度、所述比特电容的第一单臂宽度、所述比特电容的第二单臂宽度、第一参数和所述比特电容的面积中的至少一项； 基于所述几何参数，确定所述比特电容的实际电容值。

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