AGC株式会社小寺省吾获国家专利权
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龙图腾网获悉AGC株式会社申请的专利膜及其制造方法、以及半导体封装件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116867645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180094409.2，技术领域涉及：B32B27/00；该发明授权膜及其制造方法、以及半导体封装件的制造方法是由小寺省吾;竹中聪史;长谷川哲也;八百板隆俊;森野正行;徳永未央;早坂由起设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本膜及其制造方法、以及半导体封装件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种膜、所述膜的制造方法以及使用了所述膜的半导体封装件，其中，所述膜至少具备基材和防静电层，并且具备以下特征：25℃下单轴拉伸300％后进行胶带剥离试验时的剥离面积的比例小于5％；或者25℃下单轴拉伸300％后进行擦拭试验时满足式H2‑H1≥0H1为擦拭前的雾度、H2为擦拭后的雾度；或者在通过X射线光电子能谱法进行的所述基材的所述防静电层侧的表面化学组成分析中，OC在0.010～0.200的范围内或NF在0.010～0.100的范围内。
本发明授权膜及其制造方法、以及半导体封装件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种膜，其特征在于，其至少具备基材和防静电层， 基材的表面经等离子体处理， 在经所述等离子体处理的基材上设有防静电层， 在通过X射线光电子能谱法进行的所述基材的所述防静电层侧的表面化学组成分析中，OC在0.010～0.200的范围内或NF在0.010～0.100的范围内， 25℃下单轴拉伸300％后在以下条件下进行胶带剥离试验时的剥离面积的比例小于5％： 用辊在所述膜的所述防静电层侧的表面上将注册商标Cellotape以4kg的载荷来回加压粘接5次，5分钟以内沿着相对于所述膜180°的方向以100m分钟的速度剥离所述注册商标Cellotape，得到所述膜的剥离面积相对于所述注册商标Cellotape的粘合部的面积的比例。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人AGC株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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